effectifs minimal / maximal:
/52Diplôme(s) concerné(s)
- M2 EN - Énergie
- M1 EN - Énergie
- MScT-Energy Environment : Science Technology & Management
- Programmes d'échange internationaux
- Titre d’Ingénieur diplômé de l’École polytechnique
- M1 IES - Innovation, Entreprise et Société
- MSc X-HEC Entrepreneurs
- Non Diplomant
Parcours de rattachement
- PA-Panaché P1
- M1 - Énergie - Master 1A
- M2 - Énergie - Master 2A
- MScT STEEM - Semestre 1
- MSc X-HEC Entrepreneurs - Master of Science
Objectifs de développement durable
ODD 7 Energie propre et d’un coût abordable, ODD 9 Industrie, Innovation et Infrastructure.Format des notes
Numérique sur 20Littérale/grade réduitPour les étudiants du diplôme M1 EN - Énergie
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- le rattrapage est obligatoire si :
- Note initiale < 7
- le rattrapage peut être demandé par l'étudiant si :
- 7 ≤ note initiale < 10
- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
Pour les étudiants du diplôme Non Diplomant
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Calculatrice autorisée (pas de dispositif connecté. Aucun téléphone, tablette, ordi, etc)
Rattrapages : Examen oral - 30 minutes. Aucun document permis.
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- le rattrapage est obligatoire si :
- Note initiale < 7
- le rattrapage peut être demandé par l'étudiant si :
- 7 ≤ note initiale < 10
- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
Pour les étudiants du diplôme MScT-Energy Environment : Science Technology & Management
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Calculatrice autorisée (pas de dispositif connecté. Aucun téléphone, tablette, ordi, etc)
Rattrapages : Examen oral - 30 minutes. Aucun document permis.
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
La note obtenue rentre dans le calcul de votre GPA.
Pour les étudiants du diplôme M2 EN - Énergie
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- le rattrapage est obligatoire si :
- Note initiale < 7
- le rattrapage peut être demandé par l'étudiant si :
- 7 ≤ note initiale < 10
- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
Pour les étudiants du diplôme Titre d’Ingénieur diplômé de l’École polytechnique
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Calculatrice autorisée (pas de dispositif connecté. Aucun téléphone, tablette, ordi, etc)
Rattrapages : Examen oral - 30 minutes. Aucun document permis.
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
La note obtenue rentre dans le calcul de votre GPA.
Pour les étudiants du diplôme Programmes d'échange internationaux
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Calculatrice autorisée (pas de dispositif connecté. Aucun téléphone, tablette, ordi, etc)
Rattrapages : Examen oral - 30 minutes. Aucun document permis.
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
La note obtenue rentre dans le calcul de votre GPA.
Pour les étudiants du diplôme MSc X-HEC Entrepreneurs
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Calculatrice autorisée (pas de dispositif connecté. Aucun téléphone, tablette, ordi, etc)
Rattrapages : Examen oral - 30 minutes. Aucun document permis.
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)Pour les étudiants du diplôme M1 IES - Innovation, Entreprise et Société
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Calculatrice autorisée (pas de dispositif connecté. Aucun téléphone, tablette, ordi, etc)
Rattrapages : Examen oral - 30 minutes. Aucun document permis.
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
Programme détaillé
English below:
Plan du cours :
- Introduction générale, "Qu'est-ce que la photovoltaïque ?" ressource en énergie solaire, usages courrant des PV
- Introduction à la physique des semi-conducteurs cristallins : théorie des bandes, semi-conducteurs intrinsèques et extrinsèques, quasi niveaux de Fermi
- Phénomènes de transfert dans les semi-conducterus, recombination, jonction p-n. Effet photovoltaïque
- Jonctions de matériaux et diagrammes des bandes d'énergie. Contacts métal/semi-conducteur. Hétérojonctions
- Absorbtion optique, spectre solaire et EQE. Limites du rendement d'une cellule photovoltaïque. Modèle de circuit équivalent
- Silicium cristallin, technologie PV et opération. Architectures de cellules silicium cristallin de base et à haut rendement
- Aperçu de la technologie PV et le coût du PV
- Modules, concentration et concepts avancés
Course Outline:
- General Introduction, “What is Photovoltaics?” Solar energy resource, current use of PV
- Introduction to the physics of crystalline semiconductors: band structure, intrinsic and extrinsic semiconductors, quasi-Fermi levels.
- Transport phenomena in semiconductors, recombination, the p-n junction. The photovoltaic effect
- Material junctions and energy band-diagrams. Metal/semiconductor contacts. Heterojunctions
- Optical absorption, solar spectrum and EQE. Solar cell efficiency limits. Equivalent circuit model.
- Crystalline silicon (c-Si) PV technology and operation. Basic and high efficiency c-Si cell architectures.
- PV technology overview and the cost of PV
- Modules, concentration, and advanced concepts