36 heures en présentiel
effectifs minimal / maximal:
/52Diplôme(s) concerné(s)
- Programmes d'échange internationaux
- M1 IES - Innovation, Entreprise et Société
- MSc X-HEC Entrepreneurs
- Non Diplomant
- Titre d’Ingénieur diplômé de l’École polytechnique
- MScT-Energy Environment : Science Technology & Management
Parcours de rattachement
- PA-Panaché P1
- MSc X-HEC Entrepreneurs - Master
- MScT STEEM - Semestre 1
- MSc X-HEC Entrepreneurs - Mastère Spécialisé
Objectifs de développement durable
ODD 7 Energie propre et d’un coût abordable, ODD 9 Industrie, Innovation et Infrastructure.Format des notes
Numérique sur 20Littérale/grade réduitPour les étudiants du diplôme M1 IES - Innovation, Entreprise et Société
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
L'UE est acquise si Note finale >= 10- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
Pour les étudiants du diplôme MScT-Energy Environment : Science Technology & Management
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
La note obtenue rentre dans le calcul de votre GPA.
Pour les étudiants du diplôme Programmes d'échange internationaux
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
La note obtenue rentre dans le calcul de votre GPA.
Pour les étudiants du diplôme Non Diplomant
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
Pour les étudiants du diplôme Titre d’Ingénieur diplômé de l’École polytechnique
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Le rattrapage est autorisé (Note de rattrapage conservée)- Crédits ECTS acquis : 5 ECTS
La note obtenue rentre dans le calcul de votre GPA.
Pour les étudiants du diplôme MSc X-HEC Entrepreneurs
Vos modalités d'acquisition :
Examen écrit de 3h.
Tous documents autorisés.
Programme détaillé
Plan du cours :
- Introduction générale, "Qu'est-ce que la photovoltaïque ?" ressource en énergie solaire, usages courrant des PV
- Introduction à la physique des semi-conducteurs cristallins : théorie des bandes, semi-conducteurs intrinsèques et extrinsèques, quasi niveaux de Fermi
- Phénomènes de transfert dans les semi-conducterus, recombination, jonction p-n. Effet photovoltaïque
- Jonctions de matériaux et diagrammes des bandes d'énergie. Contacts métal/semi-conducteur. Hétérojonctions
- Absorbtion optique, spectre solaire et EQE. Limites du rendement d'une cellule photovoltaïque. Modèle de circuit équivalent
- Silicium cristallin, technologie PV et opération. Architectures de cellules silicium cristallin de base et à haut rendement
- Aperçu de la technologie PV et le coût du PV
- Modules, concentration et concepts avancés